Hard-facing SAW ဂဟေဝိုင်ယာနှင့် ဂဟေဆက်ခြင်း flux weld ထုတ်လုပ်မှု ဆက်စပ်ပစ္စည်းများ
GEH-507 သည် အဆို့ရှင်များ နှင့် အခြားသော တံဆိပ်ခတ်များ နှင့် သက်ဆိုင်သော GB/T984 EDCr-A1-15 နှင့်အညီ လက်လျှပ်ကူးပစ္စည်း ဖြစ်ပါသည်။ ၎င်းသည် အဓိကအားဖြင့် 450 ℃ အောက်တွင် အလုပ်လုပ်သော ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန်သို့ လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသည်။ စျေးကွက်တွင်၊ ဤထုတ်ကုန်၏အသုံးချမှုသည်အလွန်ကျယ်ပြန့်ပြီးလူကြိုက်များသည်။ DC reverse surfacing မြင့်မားသော ခရိုမီယမ်သံမဏိ၊ 1Cr13 အတွက် သတ္တုမျက်နှာပြင်၊ chromium martensitic သံမဏိကို အသုံးပြုနိုင်သည်။ ကျွန်ုပ်တို့၏ တင်းကျပ်သော ထုတ်ကုန်အရည်အသွေးနှင့် ထုတ်လုပ်မှုနည်းပညာ၏ ထိန်းချုပ်မှုအောက်တွင်၊ ဤထုတ်ကုန်၏ ပေးပို့မှုနှုန်းသည် အလွန်မြင့်မားပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် ဖောက်သည်များအတွက် 3.2mm၊ 4.0mm၊5.0mm hard surface wear-resistant hand electrodes ကို ထုတ်လုပ်ပြီး ထုတ်ကုန်စိတ်ကြိုက်ပြုလုပ်ခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
လျှောက်လွှာ & စံ
ဤထုတ်ကုန်ကို 570 ℃ သို့မဟုတ် အောက်ရှိ ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများရှိ အထပ်မြင့်ဘွိုင်လာယူနစ်များ၏ အဆို့ရှင်များနှင့် အခြားအလုံပိတ်အစိတ်အပိုင်းများကို ဖုံးအုပ်ရန်အတွက် အဓိကအားဖြင့် အသုံးပြုပါသည်။ DC ပြောင်းပြန်ချိတ်ဆက်မှုကို လက်ခံပါ။ အပေါ်ယံသတ္တုသည် 1Cr13 semi-ferritic မြင့်မားသော ခရိုမီယမ်သံမဏိဖြစ်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့် ဂဟေဆော်ရာတွင် အပူကုသမှု မလိုအပ်ဘဲ မာကျောမှု တူညီသည်။ ၎င်းကို 750-800 ဒီဂရီတွင် နှိမ့်ချပြီး ပျော့ပြောင်းနိုင်သည်။ 900-1000 ℃အထိအပူပေးသောအခါ၊ လေအေးပေးစက် သို့မဟုတ် ဆီမီးငြိမ်းခြင်းဖြင့် ပြန်လည်မာကျောနိုင်သည်။ ဤလက်လျှပ်ကူးပစ္စည်းကို 450 ℃အောက်တွင် အလုပ်လုပ်သော အပူချိန်အောက်တွင် ကာဗွန်သံမဏိ သို့မဟုတ် အလွိုင်းစတီး၏ ရိုးတံနှင့် အဆို့ရှင်ကို ဖုံးအုပ်ရန်အတွက်လည်း အသုံးပြုပါသည်။ အပေါ်ယံအလွှာ၏ မာကျောမှုကို 40 ခန့်တွင် ထိန်းချုပ်သင့်သည်။
အင်္ဂါရပ်များ
GEH-507 သည် တရုတ် GB/T984EDCr-A1-15 သည် ဆိုဒီယမ်နည်းသော ဟိုက်ဒရိုဂျင် အမျိုးအစား မြင့်မားသော ခရိုမီယမ်သံမဏိအောက်ရှိ အဆို့ရှင်အပေါ်မှ ဂဟေလျှပ်ကူးပစ္စည်း၊ လည်ပတ်မှုကောင်းခြင်း၊ ရေပက်မှုနည်းခြင်း၊ လွယ်ကူသော ကပ်စေးများကို ဖယ်ရှားခြင်း၊ လှပသောပုံသဏ္ဍာန်ဖြင့် လွယ်ကူစွာ စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပါသည်။ အပေါ်ယံအလွှာသည် လေကိုငြှိမ်းသတ်ခြင်း၊ အလယ်အလတ်အပူချိန်မြင့်မားခြင်းနှင့် သံချေးတက်ခြင်းတို့ကို ကောင်းစွာခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ဤလျှပ်စစ်အမျိုးအစားအား သတ္တုအစိုဓာတ်၊ အားနည်းအက်ဆစ်နှင့် အဆို့ရှင်အပိတ်မျက်နှာပြင်၊ ရောစပ်ထားသော အရည်စသည်တို့ကဲ့သို့သော အစိတ်အပိုင်းများ၏ သတ္တုဝတ်ဆင်မှုနှင့် အစိုဓာတ်အတွက် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ဂဟေမဆက်မီ၊ ၎င်းကို 300-350 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် 1 နာရီကြာ အခြောက်ခံရပါမည်။ အခြေခံပစ္စည်းအပေါ်ယံအစိုဓာတ်ကိုဖယ်ရှားရန်, သံချေးအစွန်းအထင်း, ဆီ။ Arc နှင့် Arc လမ်းကြောင်းကို အာရုံစိုက်သင့်သည်။ arc ပြီးနောက် arc back burning, remelting arc point, the arc to fill the arc pit.
ကုမ္ပဏီနှင့် စက်ရုံ
ထုတ်ကုန်ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို မိတ်ဆက်ခြင်း။
ဓာတုဗေဒပစ္စည်း-
| အလွိုင်း(wt%) | C | Mn | Si | Cr | P | S |
| GB/T စည်းမျဉ်းများ | ၀.၁၅ | - | - | 10.00-16.00 | ၀.၀၄ | ၀.၀၃ |
| AWS စည်းမျဉ်းများ | - | - | - | - | - | - |
| ဥပမာ တန်ဖိုး | ၀.၁၂ | ၀.၆၀ | ၁.၀၀ | ၁၂.၈ | ၀.၀၂၅ | ၀.၀၀၈ |
အကြံပြုထားသော ဂဟေဆော်ခြင်းဆိုင်ရာ ဘောင်များ-
| အချင်း သတ်မှတ်ချက်များ(မီလီမီတာ) | ၃.၂*၃၅၀ | 4.0*350 | 5.0*350 | |||||
| လျှပ်စစ်မီး (Amp) | ၈၀-၁၂၀ | ၁၂၀-၁၆၀ | ၁၆၀-၂၁၀ | |||||
ပုံမှန်ကိစ္စများ
အောင်လက်မှတ်များ
ထုတ်ကုန်ဖွဲ့စည်းမှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများကို မိတ်ဆက်ခြင်း။
ဓာတုဗေဒပစ္စည်း-
| အလွိုင်း(wt%) | C | Mn | Si | Cr | P | S |
| GB/T စည်းမျဉ်းများ | ၀.၁၅ | - | - | 10.00-16.00 | ၀.၀၄ | ၀.၀၃ |
| AWS စည်းမျဉ်းများ | - | - | - | - | - | - |
| ဥပမာ တန်ဖိုး | ၀.၁၂ | ၀.၆၀ | ၁.၀၀ | ၁၂.၈ | ၀.၀၂၅ | ၀.၀၀၈ |
အကြံပြုထားသော ဂဟေဆော်ခြင်းဆိုင်ရာ ဘောင်များ-
| အချင်း သတ်မှတ်ချက်များ(မီလီမီတာ) | ၃.၂*၃၅၀ | 4.0*350 | 5.0*350 | |||||
| လျှပ်စစ်မီး (Amp) | ၈၀-၁၂၀ | ၁၂၀-၁၆၀ | ၁၆၀-၂၁၀ | |||||
